扩散硅压力传感器的工作原理，是基于硅膜片上单晶硅的压阻效应，通过惠斯通电桥将压力引起的电阻变化转换为电信号输出。为了保护脆弱的硅膜片，工业用扩散硅压力传感器通常采用隔离膜片结构。压力通过一个耐腐蚀的隔离膜片（如316L不锈钢、哈氏合金等）传递，膜片间的密封腔内填充硅油或其他传递液，将压力无损失地传递到内部的硅感压膜片上。
1、核心元件：硅膜片
传感器核心是一片非常薄（微米级）的单晶硅膜片（感压膜片），通常通过微机械加工技术（MEMS）制作在硅基座上。
2、压敏电阻：
在硅膜片的特定位置（通常在边缘应力最大处），利用半导体掺杂工艺（如离子注入或扩散）制作四个性能高度一致的压敏电阻（Piezoresistor）。
3、惠斯通电桥：
这四个压敏电阻以特定方向（两个沿径向，两个沿切向）布置在硅膜片上，被连接成一个惠斯通电桥电路。在无压力状态下，电桥处于平衡状态（输出电压为零）。
4、压阻效应：
核心原理： 当压力（P）施加在膜片一侧时，膜片发生微小的形变（弯曲）。
电阻变化： 硅材料具有显著的压阻效应。形变导致硅晶格结构发生应变（拉伸或压缩），从而改变了膜片上压敏电阻的电阻值（ΔR）。通常，膜片中心受压时，边缘两个电阻受拉伸阻值增加（R↑），另外两个受压缩阻值减小（R↓）。
5、电桥失衡与输出：
被测压力通过隔离膜片和硅油传递至硅片，电阻的变化（ΔR）破坏了惠斯通电桥的平衡。电桥的输出端（通常称为+Out和-Out或Sig+和Sig-）会产生一个与所施加压力成正比的微小差分电压信号（mV级别）。
6、信号处理（通常在变送器内）：
这个微弱的mV信号会被传感器内部或外部的信号调理电路（放大、线性化、温度补偿、标准化）处理，最终转换成工业标准信号（如4-20mA电流信号、0-5V/0-10V电压信号、数字信号等），方便后续的PLC、DCS或显示仪表读取。
7、温度补偿：
硅的压阻效应和电阻本身对温度敏感。因此，传感器内部会集成温度敏感元件（如热敏电阻），并通过补偿电路或软件算法来修正温度漂移带来的误差。
总结原理链：压力(P) -> 感压膜片形变 -> 压敏电阻应变 -> 电阻变化(ΔR) -> 惠斯通电桥失衡 -> 产生差分电压(ΔV) -> 信号调理 -> 标准输出信号
